基本信息
性别:男 || 出生年月:1985年10月 || 政治面貌:党员
现任职称:实验师
最后学历: 研究生 || 最后学位:博士 || 获学位单位:大连理工大学
联系方式: || 邮箱: || 通讯地址:北京信息科技大学
所属院系、学科及研究方向
所属学院:bwin必赢
所属系: 智能感知工程系
所属学科:微电子学与固体电子学
研究方向1:半导体材料与器件
研究方向2:分子束外延
工作简历
2020.10-至今 北京信息科技大学 bwin必赢 实验师
2008.7-2020.9 北京大学 物理学院 博士后
主要论文目录
[1] X. T. Zheng, T. Wang, B. W. Sheng, P. Wang, X. X. Sun, D. Wang, Z. Y. Chen, P. Quach, Y. X. Wang, X. L. Yang, F. J. Xu, Z. X. Qin, T. J. Yu, W. K. Ge, B. Shen, and X. Q. Wang*, Full-composition-graded InxGa1-xN films grown by molecular beam epitaxy,
Appl. Phys. Lett., 2020, 117, 182101.
[2] X. T. Zheng, W. Huang, H. W. Liang*, P. Wang, Y. Liu, Z. Y. Chen, P. Liang, M. Li, J. Zhang, Y. H. Chen and X. Q. Wang*. Investigation of InGaN layer grown under In-rich condition by reflectance difference spectroscopy microscope,
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 18 7468.
[3] X. T. Zheng, H. W. Liang*, P. Wang, X. X. Sun, Z. Y. Chen, T. Wang, B. W. Sheng, Y. X. Wang, L. Chen, D. Wang, X. Rong, M. Li, J, Zhang, X. Q. Wang*. Effect of indium droplets on growth of InGaN film by molecular beam epitaxy,
Superlattices and Microstructures, 2018, 113 650-656.
[4] X. T. Zheng, L. Guo, H. W Liang, P. Wang, S. B. Wang, T. Wang, X. Rong, B. W. Sheng, X. L. Yang, F. J. Xu, Z. X. Qin, B. Shen, and X. Q. Wang*. Photoconductivity in InxGa1-xN epilayers,
Optical Materials Express, 2016, 6, 3, 000815.